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EELS (高分解能EELSによる微細素子の構造評価)

TEMでは、EDS(エネルギー分散型X線分光法)、EELS(電子線エネルギー損失分光法)といった分析を行うことか可能です。ご存知のように、微小領域を分析する上では、TEM-EDS、TEM-EELSは最も強力なツールのひとつです。今回は、EELSを用いて極めて微小なデバイスの分析事例を以下のサイトにて紹介させていただきます。ご紹介例は、SiのFin-FETの事例ですが、もちろん類似の評価は、他の系における極薄膜界面の評価等、さまざまなケースでお役に立てるのではないかと思います。

■ 図1〜3
図

図1は、Fin-FETデバイスのSTEM観察結果で、図2及び図3は、それぞれ明視野(BF-STEM)及び暗視野(DF-STEM)での高分解能観察結果です。

■ 図4
図

図4は、STEM観察を行った箇所において、各元素のEELSマッピングを取得した結果となります。極めて薄い層でも明瞭に確認できていることがわかります。
図5には、いくつかの元素の重ねがきを示しています。
このように、EELS分析によって、極めて薄い膜を持つ構造であっても、その構造を明瞭に確認することが可能です。

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