表面分析受託サービス

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表面分析サービス一覧

分析手法 分析特徴 分析対象元素 検出限界 深さ分解能
SIMS
(Magetic Sector タイプ)
不純物深さ方向分析
微小部深さ方向分析
H-U 1012-1016 at/cm3 2-30nm
SIMS
(Q-pole タイプ)
不純物深さ方向分析
極薄膜・極浅領域深さ方向分析
絶縁物分析
H-U 1013-1017 at/cm3 <5nm
TOF-SIMS
(Time-Of-Flight タイプ)
有機物及び無機物の
最表面局所分析
元素マッピング
H-U
Molecular Groups
108-1011 at/cm2 1-3 monolayers
(Static mode)
GDMS 金属・半導体及び絶縁物中の
極微量不純物分析
Li-U 10pptwt-100%  
IGA H,C,N,O,S濃度評価 H,C,N,O,S 0.1ppm-50%  
LA-ICP/MS 極微量不純物分析
不純物深さ方向分析
Li-U 10ppbwt-100% 5~100μm
(深さ方向分析)
3nm
(表面分析)
AES
(with Zalar Rotation)
FE-AES
Wafer-AES
(200mm対応)
表面元素分析
深さ方向高分解能分析
極微小領域分析
Li-U 0.1-1 at% 2-20nm
(深さ方向分析)
3nm
(表面分析 )
XPS/ESCA
(with Zalar Rotation)
有機物及び無機物表面分析
深さ方向分析
Li-U 0.01-1 at% 2-20nm
(深さ方向分析)
1-10nm
(表面分析)
RBS 薄膜組成分析及び結晶性評価 B-U
軽元素(C,N,O,Li,10B,11B 等)
S-U
RBS: 0.001-10 at%
NRA: >1x1014 at/cm2
PIXE: 原子番号依存
5-20nm
(±1nm precision)
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NRA
PIXE
HFS 薄膜中のH定量分析 1H, 2H 0.1 at% 30nm
FIB/EDS 断面加工及び元素分析
(Cu配線断面等)
B-U (EDS mode) 1 wt% 0.5-1.5nm
(二次電子)
<2μm
(反射電子)
SEM/EDS イメージング
微小部元素分析
B-U (EDS mode) 1 wt% 0.5-3μm
(EDS)
FE SEM
(In lens タイプ)
超高分解能観察      
AFM/SPM 原子レベルの表面3次元イメージ
磁場、グレインサイズ、容量
    0.01nm
TXRF 半導体ウエハ表面の
金属汚染分析
S-U 109-1012 at/cm2 3-8nm
μ-FTIR ポリマー、有機膜、パーティクル、コンタミの同定 Molecular Groups 0.1-1wt% 0.1~2.5μm
SRP 半導体中の
キャリア濃度分布測定
  抵抗率:10-3~104(Ωcm) 数nm〜数10nm (研磨角度に依存)
LEXES 注入ドーズ量及び薄膜組成分析
(300mmウエハまで対応可、非破壊分析)
Be~U ~5E13 atoms/cm2 ~500nmまで(情報深さ)
XRR 薄膜の膜厚及び密度測定
(300mmウエハまで対応可、非破壊分析)
    0.1nm
TEM/EDS 結晶分析、格子像観察、微小部元素分析 B-U 1wt% 30~100nm(観察試料に依存)
STEM/EDS イメージング、Zコントラスト、
元素マッピング
B-U 1wt% 30~100nm(観察試料に依存)
Raman 有機及び無機汚染の同定
結晶性評価、Si応力
カーボン膜の
キャラクタリゼーション
化学・分子情報 ≧1wt% 1~5μm(共焦点モード)
XRD 結晶相/結晶方位/結晶性評価 H-U 1at% 5-20μm
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