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イオンスパッタリングスタンダード(AES用深さ方向スタンダード)仕様

イオンスパッタリングキャリブレーションとして使用できます。AES分析以外にも使用可能です。

1.ISC-SIO2-200 SiO2膜(約20nm)/Si基板(4インチ径)供給停止中(再開未定)
2.ISC-SIO2-1K SiO2膜(約100nm)/Si基板(4インチ径)供給停止中(再開未定)

SiO2膜は、Si基板上に湿式酸化処理により堆積。

  • SiO2膜の面内ばらつき:±1%未満。
  • 表示膜厚の精度:±5%未満

なお、各試料の表示膜厚は、ロットによって変更する場合あり。(お問い合わせください)

3.ISC-SIN-1K Si3N4膜(約100nm) / Si基板(1×3cm)

SiN膜は、CVD法によってSi基板に堆積されています。

4.ISC-TA2O5 Ta2O5膜(約100nm) / Ta基板(37×37mm)

Ta酸化膜は陽極酸化によって形成されています。
Ta基板の厚さは、0.5mm厚のフォイル状の基板を使用しています。
Ta酸化膜厚の精度は、約5%。

5.NiCr-3 Cr(60nm)/Ni(60nm)・・・12層・Si基板(1×3cm)

NISTトレーサブル対応試料です。
深さ分解能のキャリブレーションとして使用できます。

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