「化合物半導体国際会議」講演内容

◎ 講演題目

最先端評価技術を用いた開発部門及び製造部門におけるIII-V系半導体の最適化

◎ 講演者

Dr. Temel Buyuklimanli
SIMS分析技術サービス及び開発のリーダー、EAGの独自技術 、PCOR-SIMSを開発。

◎ 内容

独立系の分析センターとしては最大規模のエバンスアナリティカルグループ(EAG)では、化合物半導体を評価するための多くの分析手法を備えています。中でもSIMSとTEMは、エピタキシャル層の成長過程から最終デバイス製造工程に至るまで、不純物、欠陥、材料組成などの評価に広く利用されています。これらのEAGの最先端技術は、厚さ1-2nmの層に含まれる不純物、組成について2%以下の再現性で評価できる可能性を示しています。

このような高度な評価技術から得られた分析結果は、マイクロ波、光通信、パワーデバイス分野などのIII-V系半導体のR&D部門, 製造部門、更に両者間の技術移転などに広く利用されています。

本講演では、SIMSとTEMの原理とAs系、P系化合物半導体、更に、窒化物系化合物半導体、特にGaN HEMT に重点を置き、EAGの数多くの事例の一部を紹介致します。

GaN HEMTデバイス構造では、表面近傍の薄膜中の不純物や組成評価は特に難しくなります。しかしながら、最近EAGが開発した方法によって、デバイス特性を大きく左右するこの領域の評価が前進しました。GaN系HEMTにおけるエピ層の評価では、表面から数10nmオーダーの深さ範囲において、E15atoms/ ccの低レベルのSi、C及びOの不純物の検出を達成しました。

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