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太陽電池:化合物半導体(III-V)太陽電池評価

集光型太陽光発電システムのためのIII-V族太陽電池技術は、もともと集光器が使用されていない宇宙用途の三重接合III-V太陽電池に由来した技術です。地上用の集光型と宇宙用の太陽電池は、それぞれ広範囲の太陽光スペクトルを収集することによって、変換効率が最適化されるように設計されています。 III-V組成によってエネルギーバンドギャップが決まり、多くの場合III-V族化合物半導体は互いにエピタキシャル成長させることができるので、異なるバンドギャップの膜の積層構造を作製することが出来ます。

III-V族薄膜太陽光発電の改善のための主要な領域は、集光型PVシステムのための変換効率の向上と製造規模の拡大です。

以下にIII-V族薄膜太陽電池の略図と、表面分析手法が使用される内容について紹介します。

化合物半導体(III-V)太陽電池評価
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