産業別分析事例紹介

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半導体材料・電子デバイス

イメージ画像EAG Inc.は、半導体産業の発展に対して、世界的に材料物性評価を担ってきた分析機関です。EAGは、1978年に半導体産業に対する材料分析サービスを行うことを目的に設立され、現在も半導体材料評価を通してその位置を確固たるものにしています。特に半導体材料に対するEAGの表面分析、バルク材料分析サービスは、お客様の要求に最適な分析手法を選定し、高品質な結果を提供しています。
材料評価と並行して、マイクロエレクトロニクス評価部門では、デバイスの試作品から量産品までの特性評価をサポートしています。
EAGの分析サービスは、特に下記の様な分野において重要な役割を担っています。

  • 既存プロセスの最適化
  • 開発時間の短縮
  • 開発ラインから量産ラインへの移管作業
  • 使用材料の品質保証・品質調査
  • 新規デバイスの品質調査
  • 歩留り改善

主な分析サービス内容

  • イメージ画像膜厚、膜密度、組成、結晶性、欠陥評価 (SEM, TEM/STEM, XRR, RBS, XRD, AES, XPS, WDX)
    例:RBSによる酸化物半導体(IGZOなど)の組成分析など
  • ドーパントプロファイル、ドーパント量調査 (SIMS, SRA)
    例:Si, GaAs, InP, GaN, SiC中の深さ方向濃度分析など 
  • 半導体デバイスチップの構造、欠陥、不純物調査など (TEM/STEM, SIMS)
    例: GaN LEDチップなど
  • ウェーハ表面の金属汚染調査 (TXRF, VPD-ICPMS)
    例:Si,サファイア,SiC, GaN,化合物半導体ウェーハ表面の汚染調査など
  • ウェーハ表面の有機汚染調査 (TOF-SIMS, GCMS, FT-IR)
  • 半導体デバイス積層膜中の汚染不純物調査(SIMS)
    例:HBT,HEMT, SiCパワーデバイス、車載用電子デバイスなど
  • 表面ラフネス調査 (AFM, OP, SEM)
  • 表面のシミ、ヘイズの要因調査 (XPS, AES, FT-IR, TOF-SIMS)
  • バルク材料中のドーパント、不純物調査 (GDMS, ICP, IGA, SIMS)

関連資料A

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関連資料B

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