表面分析からこんなことがわかります

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はじめに

SIMSはH,C,Oなどの軽元素についても高感度検出が可能な手法です。省エネ、パワー半導体として開発が進むGaN材料の例では、真空度の改善によってC,Oについては15乗台、Siについては14乗台の検出下限を得ることができます。さらに、EAGではGaN材料に比べて真空度の影響を受けやすいAlGaN、AlN材料でも、よい検出下限で分析することが可能になりました。以下にAlGaN/AlN材料を用いた深紫外発光デバイス構造におけるH,C,O,Siの分析事例を紹介します。

SIMSによるAlGaN

下記に深紫外発光デバイス構造のSIMS分析結果を示します。(図1) SiドープAlGaN層(約1.6um)中ではH,C,Oは検出下限(バックグランドレベル)以下でであることがわかります。

■ 図1:AlGaN/GaN系の深紫外発光デバイス構造におけるH,C,O,Si深さ方向濃度分析

本分析の検出下限値(AlGaN中)
H: 6e16 atoms/cm3
C, O: 2e16 atoms/cm3

図

【試料提供:三重大学 三宅秀人 先生】

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