表面分析からこんなことがわかります

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はじめに

製品分析では、不良解析や特許関連などの調査の一環として実デバイスを対象とするケースが多く、製品からデバイスを取り出しても、そのままの状態では分析に適さないことが多々あります。そのような場合には、デバイスを分析できる状態まで加工する必要があります。ここでは省エネデバイスの代表格であるGaN系LEDチップのSIMSによる不純物分析の事例を紹介します

GaN系LEDの製品分析

製品から取り出したLEDチップはサブマウント上に貼りついています。大きさは数百ミクロン程度の小さなチップです。このような微小チップでは、通常のエピウエハの分析に比べて分析スペースが限られ、最終製品ですので、電極や保護膜なども形成されており、GaN系チップの表面状態はエピウエハ状態とは大きく異なります。

以下の例では、研磨によるGaN系チップ表面の平坦化によって深さ分解能が改善し、正確なデバイス情報が得られることがわかります。

■ 製品からチップを取り出した状態
製品からチップを取り出した状態
■ 表面凹凸の存在する状態で分析したSIMS分析結果
表面凹凸の存在する状態で分析したSIMS分析結果
■ 研磨によるGaN系チップ表面の平坦化
研磨によるGaN系チップ表面の平坦化
■ 平坦化後のSIMS分析結果
平坦化後のSIMS分析結果
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